| Wafer 표면에 Pattern 형성 |
빛을 Photomask에 노출시켜 Pattern을 인쇄한 후 현상 |
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| Etching(식각) |
Wafer 표면을 Etching하여 부분적으로 산화막을 제거하고 직접회로(IC)도를 만든다. |
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| 직접 회로도(IC) 완성 |
약 300~400 공정을 거쳐 최종적으로 Silicone Wafer에 집적회로를 완성 |
| Back Grind |
표면보호용 Tape Laminate Wafer의 표면 연마 실시전 Pattern면에 이물 혼입 등을 위해 보호 Tape 부착 |
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| Wafer 표면연마 Wafer를 얇게하기 위해 적정 두께로 뒷면을 연마한다. |
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표면 보호 Tape 제거 Wafer의 표면을 보호하기 위해 붙였던 Tape를 제거 한다.
*. UV Tape 경우 자외선 조사후 Tape 제거 |
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| Dicing |
Tape Laminate
Wafer Dicing시 Chip의 Fly를 방지하기 위해 Dicing Frame 및 Wafer에 Tape를 부착. |
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Dicing
Wafer를 Size에 맞게 절단
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Pick up
절단된 Chip을 Wafer에서 Pick-up
*. UV Tape 경우 자외선 조사후 Chip을 Pick up
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Package화
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Chip에 Die Bonding후 Package화
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Package Dicing
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Tape Laminate
Package Dicing시 Chip의 Fly를 방지하기 위해 Dicing Frame 및 Package에 Tape를 부착.
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Dicing
Package를 Size에 맞게 절단
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Pick up
절단된 Package을 Pick-up
*. UV Tape 경우 자외선 조사후 사용
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IC Package 완성
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제품검사, 신뢰성 검사에 합격한 후 패키지 완성
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