다이아몬드 슬러리로 가공된 사파이어 웨이퍼 표면의 scratch를 감소시켜 표면조도를 극대화 시킬때 사용하는 고순도 콜로이달 실리카 입니다.
LED Chip용 사파이어 웨이퍼 및 사파이어 Window(휴대폰 전면 창, 카메라 렌즈)에 모두 적용이 가능한 제품으로 사파이어 결정구조 모두에 우수한 연마 가공성을 유지합니다.
아래의 그림은 사파이어 결정구조를 나타내며 GaN LED기판 및 휴대폰 카메란 렌즈는 C-plain을 사용하며, 반도체용 LED기판은 R-plain을 적용하며, 휴대폰용 전면창은 강도가 우수한 A-plain을 위주로 개발 진행중이며 가공성이 우수한 C-plain도 적용검토 중에 있습니다.

사파이어 웨이퍼 연마시 사용하는 접착제로 Lapping, Annealing 공정 후 Wafer Back Side에 접착제를 Spin 코팅한 후 알루미나 Plate에 접착한 후 1차 Diamond Slurry Polishing(DMP), 2차 Colloidal Silica Polishing(CMP) 공정까지 Wafer가 알루미나 Plate로 부터 떨어지지 않도록 사용한다.
당사가 개발한 접착제 경우 가혹한 조건의 CMP공정에서도 마찰열에 의한 웨이퍼의 밀림 현상이 없으며, 특히 로진에 말레이산을 Graft시킨 산가(185~205)가 높은 변성로진을 접착제의 주성분으로 사용하여 접착강도가 높고 산가가 높을수록 알카리 세정제에 의한 비누화 반응이 가속화 되고 이떄 형성된 수용성 지방산 금속염은 물에 쉽게 녹기 때문에 알카리 세정만으로 접착제 잔유 성분을 완벽히 제거 할 수 있으며 이소프로필알콜( IPA)을 사용한 접착제 제거공정을 생략 할 수 있습니다.

LED 제조공정에 사용되는 사파이어(Sapphire) 웨이퍼의 표면을 Polishing 할 때 사용하는 Diamond Slurry용 유성유체로 Hydrocarbon계 Normal Paraffin을 주성분으로 한다.
3㎛ ~ 6㎛ Diamond 분말을 0.4% 분산시킨 Slurry를 표면에 기공(pore)이 있는 동(Cu)판에 분사하여 Diamond 분말이 기공에 들어가서 사파이어(Sapphire) 웨이퍼와 접해 있는 표면을 연마한다. 특히 고점도의 분산유체로 Anti-Settling 효과가 뛰어나Diamond 분말의 분산성과 cut rate (removal rate) 가 우수하다.
최근까지 가공 공정에 적용되었던 저점도용 Diamond 유성유체에 비해 가공성이 30% 정도 뛰어나며, 특히 우수한 다이아몬드 입자 분산성으로 인해 연마 공정시 Wafer가Stress 덜 받게 되고 이후 공정에 발생할 수 있는 웨이퍼 칩핑 발생률을 감소시킨다

사파이어 잉곳 절단 후 사파이어 웨이퍼 형태로 다듬기 위한 최조 Lapping 공정에 사용되는 보론카바이드(B4C)를 분산시킬때 사용하는 습윤 분산제이다.
Lapping 공정에 사용하는 정반 (Surface Plate)은 녹이 발생하기 쉬운 주철 (Cast Iron) 소재를 사용하기 때문에 분산제는 방청성이 우수해야 한다.
특히 기존 제품에 비해 소량 사용하여도 우수한 분산성을 나타내며, 소포성과 방청성이 우수하며 장비 유지관리측면에서도 유리하다.